| Характеристики | |
| Дата выхода на рынок | 2018г. |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
| Форм-фактор | M.2 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000ч |
| Скорость последовательной записи | 2 350МБ/с |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.14Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33Вт |
| Объём | 512 ГБ |
| Комплект поставки | накопитель, радиатор |
| Охлаждение | есть |
| Аппаратное шифрование | нет |
| Скорость последовательного чтения | 3 350МБ/с |
| Контроллер | Silicon Motion SM2262 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Адаптер 3.5" | нет |
| Средняя скорость случайного чтения | 390 000IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 380 000IOps |
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2350 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps




















