500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAN..

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последоват..

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последоват..

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последоват..

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, послед..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..