16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В..

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..

двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В..

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 ..

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-40-40-100, напряжение 1.4 ..

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-40-40-100, напряжение 1.4 ..

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-40-40-100, напряжение 1.4 ..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 ..

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В..

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В..

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..