Micron
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с..
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/310 MBps, случайный доступ: 670..
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 MBps, случайный доступ: 8500..
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 МБайт/с, случайный ..
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 MBps, случайный доступ: 8500..
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 9500..
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный ..
2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6500/2200 MBps, случайный дос..
1.6 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, сл..
800 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1..
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 50..
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..








