Samsung
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, по..
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, по..
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, по..
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 430000/60000..
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000..
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000..
1.92 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC..
3.84 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC..
7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC..
960 ГБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC..
плата расширения, PCI Express 3.0 x8, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5400/2000 MBp..
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, сл..
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, сл..
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, сл..
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC..
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC..
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 980..
















