Процессор AMD EPYC 9174F
| Характеристики | |
| Дата выхода на рынок | 2022г. |
| Максимальная частота | 4.4ГГц |
| Техпроцесс | 5нм |
| Сокет | SP5 |
| Базовая тактовая частота | 4.1ГГц |
| Встроенная графика | нет |
| Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 5.0 |
| Кодовое название кристалла | Genoa |
| Количество каналов памяти | 12 |
| Количество ядер процессора | 16 |
| Конфигурация контроллера PCIe | макс. кол-во каналов PCI Express - 128 |
| Кэш L3 | 256 МБ |
| Макс. частота памяти без разгона | 4 800МГц |
| Количество потоков процессора | 32 |
| Многопоточность ядра | есть |
| Семейство процессора | Epyc 9004 |
| Охлаждение в комплекте | нет |
| Поддержка памяти | DDR5 |
| Тип поставки | OEM |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 400Вт |
Похожие
2019 г, Picasso, AM4, 2 ядра, 4 потока, частота 3.5 ГГц, кэш 1 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W..
Picasso, AM4, 2 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 1 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W..
Raven Ridge, AM4, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 1 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W..
Rome, SP3, 8 ядер, частота 3.2/3.1 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W..
Rome, SP3, 12 ядер, частота 3.2/2.9 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W..
SP3, 8 ядер, частота 4.1/3.7 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W..
2021 г, SP3, 16 ядер, 32 потока, частота 3.7/3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 180W..
SP3, 16 ядер, частота 3.9/3.2 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W..
Naples, SP3, 24 ядра, частота 3.35/2.8 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W..
SP3, 24 ядра, частота 3.6/2.65 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W..
SP3, 24 ядра, частота 4/2.85 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W..
SP3, 28 ядер, частота 3.45/2.75 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W..
Milan, SP3, 24 ядра, частота 4/3.2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W..
SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W..
SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W..
Milan, SP3, 32 ядра, частота 4/2.95 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W..